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XCVU9P不同封装VCCINT电流为何差异巨大？

电源与散热已闭环原帖 5 个回答 · 224 次浏览|器件：XCVU9P / UG583

一句话结论：电流差异由封装电迁移额定值与仿真决定，与封装球数量有关

现象

FLGB2104的VCCINT电流为93A，FSGD2104高达217A

根因

差异源于封装：封装额定值受电迁移效应影响，且基于仿真；B2104有78个VCCINT专用封装球，D2104有130个

可尝试的处理步骤

本文基于 AMD 客户社区（原 Xilinx 论坛）真实问答整理为中文要点，非原文转载；技术细节以原帖与 AMD 官方文档为准。
原帖：https://adaptivesupport.amd.com/s/question/0D54U00007inDiUSAU/from-ug583-table-124-xcvu9p-vccint-current-flgb2

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相关标签：XCVU9P · VCCINT · package · electromigration

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