Microchip推出3.3 kV HV-D3 mSiC功率模块助力AI数据中心实现固态变压器应用

Microchip推出3.3 kV HV‑D3 mSiC®功率模块助力AI数据中心实现固态变压器应用

—— 新型碳化硅模块提供了满足要求的热性能和效率，使固态变压器（ SST ）能够释放更多 可用于词元生成的功率

Microchip Technology Inc. （微芯科技公司）今日宣布推出新款 3.3 kV HV‑D3 mSiC® 功率模块 ，旨在简化并加速 AI 超大规模数据中心及其他高压电源应用采用固态变压器（ SST ）。该全新模块采用行业标准 62 mm 封装，集成 3.3 kV 碳化硅（ SiC ） mSiC MOSFET 与肖特基二极管，可实现从中压电网直接向服务器机架高效供电。

随着 AI 数据中心规模持续扩张，词元生成能力受供电限制，而能效则直接决定投资回报。传统架构依赖体积庞大的低频变压器，不仅增加系统复杂度、加大损耗，还限制灵活性。 固态变压器 是电力传输领域的根本性革新，可减少电能转换级数，且提升系统效率。下一代 AI 基础设施逐步转向高压直流机架配电，进一步凸显固态变压器的价值。它可从中压电网直接输出稳压直流电，大幅简化转换链路。

Microchip 的 HV-D3 mSiC 模块专为满足上述需求而设计。它采用 Microchip 的 mSiC MOSFET 技术， 在整个工作温度范围内具备优异的导通电阻 RDS (on ） 稳定性；封装支持 6 kV 绝缘等级，采用漏电起痕指数（ CTI ） 600 级材料，具备可扩展爬电距离，确保高压串联连接安全可靠。氮化硅（ Si₃N₄ ）基板导热性能优异且功率循环能力强，帮助设计人员降低冷却要求，同时实现更高功率密度。

Microchip 负责大功率解决方案业务部的副总裁 Clayton Pillion 表示：“随着 AI 数据中心不断突破电网向 GPU 供电的极限，固态变压器的重要性愈发凸显。我们的 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模块在连接 13.8 kV 或 34.5 kV 电网时，相比低压碳化硅方案，可将串联器件数量减少约一半。该产品填补了工业市场 100-300 安培功率器件的空白， 在分立式 SiC 器件与大型功率模块之间提供了理想的过渡方案。”

HV‑D3 mSiC 功率模块提供半桥与共源极两种配置，可选带 / 不带反并联肖特基二极管，覆盖 100-300 安培应用场景。 Microchip mSiC MOSFET 技术在硬开关与软开关拓扑中均具有均衡的开关损耗，非常适合固态变压器设计及其他高频、高压系统。

HV-D3 mSiC 功率模块针对 AI 数据中心的固态变压器进行了优化，同时适用于广泛的应用领域，包括重型车辆兆瓦级充电基础设施、铁路 / 重型运输的辅助电源、中压电机驱动器，以及工业和国防电力系统。这些领域同样受益于 其出色的绝缘性能、更可靠的耐热能力，以及更高效的电能转换表现。

Microchip 在 SiC 器件及电源解决方案的开发、设计、制造和支持方面拥有 20 多年的经验，致力于帮助客户轻松、快速且可靠地采用 SiC 技术。公司 mSiC 产品和解决方案旨在降低系统成本、加快产品上市并降低风险。 Microchip 提供广泛且灵活的 SiC 二极管、 MOSFET 和栅极驱动器产品组合。如需了解更多信息，请访问 www.microchip.com/sic 。

3.3 kV 功率模块配备 应用笔记、设计指南、器件模型及仿真模型 ，以支持快速原型开发。 Microchip 还提供全球技术支持、设计服务及现场应用工程支持。

3.3 kV mSiC 功率模块现已开放批量采购。可直接向 Microchip 采购 ，或联系 Microchip 销售代表或全球授权分销商 。

Microchip Technology Inc. 简介

Microchip Technology Inc. 作为一家提供丰富半导体产品的厂商，致力于通过完整的系统级解决方案，让创新设计更便捷，帮助客户解决将新兴技术应用于成熟市场时遇到的关键挑战。公司提供易于使用的开发工具和丰富的产品组合，支持客户从概念构想到最终实现的全流程设计。 Microchip 总部位于美国亚利桑那州 Chandler 市，凭借卓越的技术支持，持续为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算等市场提供解决方案。详情请访问公司网站 www.microchip.com 。