踩坑实测：Microchip军级IGLOO2/SmartFusion2 FPGA关键参数解读（基于DS0120 V7.0）

踩坑实测： Microchip 军级IGLOO2/SmartFusion2 FPGA 关键参数解读（基于DS0120 V7.0）

最近手上有个军工级测控项目选主FPGA，要求宽温、低功耗、高可靠，翻了好久最终锁定Microchip的IGLOO2或者SmartFusion2，把官方军级datasheet（DS0120 V7.0）啃了个遍，整理了几个硬件设计和时序分析最关心的点，给有同样需求的兄弟做个参考，省得大家再去翻几百页 datasheet 受罪。

文件下载： M2S010T-1FG484M.pdf

这俩都是Flash架构的军级FPGA，天生比S RAM 架构的抗单粒子，可靠性高，核心区别：

第一关注点：可靠性&工作条件（军工项目卡得最死的部分）

小机箱、无风扇的项目完全能hold住，不用搞复杂的散热结构。

第二关注点：功耗（这俩系列最大的优势，比Xilinx军品低一半都不止）

上电浪涌电流最大也就404mA， 电源 设计不用做太大冗余，3A的 电源芯片 足够覆盖全系列，电池供电、电源功率受限的车载/弹载项目闭眼选。

第三关注点：I/O与 接口 能力（硬件设计避坑重点）

分三类I/O Bank，覆盖常用的所有电平标准：

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